Elixe o teu país ou rexión.

Close
Rexístrate Rexistrarse Correo electrónico:Info@infinity-electronic.com
0 Item(s)

RN1961(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
RN1961(TE85L,F) Image
A imaxe pode ser representación. Consulte as especificacións dos detalles do produto.

Descrición xeral do produto

Número de peza: RN1961(TE85L,F)
Fabricante / Marca: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición do produto TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Follas de cálculo: RN1961(TE85L,F).pdf
Estado de RoHs Sin plomo / RoHS Cumple con
Condición de stock 163254 pcs stock
Enviar desde Hong Kong
Camiño de expedición DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 163254 pcs
prezo de referencia (en dólares estadounidenses)
1 pcs
$0.20
10 pcs
$0.144
25 pcs
$0.112
100 pcs
$0.085
250 pcs
$0.06
Solicitude de cotización
Complete todos os campos obrigatorios coa súa información de contacto. Prema " SUBMIT RFQ ", contactarémoste en breve por correo electrónico. Ou envíanos un correo electrónico:Info@infinity-electronic.com
  • Prezo obxectivo:(USD)
  • Cantidade:
Total:$0.20

Díganos o seu prezo obxectivo se hai cantidades maiores que as que se mostran.

  • Número de peza
  • Nome da compañía
  • nome de contacto
  • Correo electrónico
  • Mensaxe

Especificacións de RN1961(TE85L,F)

Número de peza RN1961(TE85L,F) Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Estado libre de chumbo / Estado RoHS Sin plomo / RoHS Cumple con
Cantidade dispoñible 163254 pcs Folla de datos RN1961(TE85L,F).pdf
Voltaje - Desglose de colector de emisor (máx.) 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Paquete de dispositivos de provedores US6
Serie - Resistencia - Base de emisor (R2) 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms Poder - Máx 200mW
Empaquetado Cut Tape (CT) Paquete / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes RN1961(TE85LF)CT Tipo de montaxe Surface Mount
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) 1 (Unlimited) Estado libre de chumbo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición 250MHz Descrición detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
Ganancia de corrente continua (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V Corrente - Cutoff Collector (Max) 100nA (ICBO)
Corrente: colector (Ic) (máx.) 100mA

Envío

★ ENVÍO GRATUITO VIA DHL / FEDEX / UPS SI ORDENA AMBITO MÁS DE 1,000 USD.
(SOLAMENTE PARA Circuítos Integrados, Protección de Circuíto, RF / IF e RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Isoladores, Interruptores, Relés)

FEDEX www.FedEx.com A tarifa de envío básico de $ 35.00 depende da zona e do país.
DHL www.DHL.com A tarifa de envío básico de $ 35.00 depende da zona e do país.
UPS www.UPS.com A tarifa de envío básico de $ 35.00 depende da zona e do país.
TNT www.TNT.com A tarifa de envío básico de $ 35.00 depende da zona e do país.

★ O prazo de entrega necesitará de 2 a 4 Días á maioría de países de todo o mundo por DHL / UPS / FEDEX / TNT.

Non dubide en contactar connosco se ten algunha dúbida sobre o envío. Envíenos un correo electrónico Info@infinity-electronic.com
FedexDHLUPSTNT

GARANTÍA DESPUÉS DE VENDAS

  1. Cada produto de Infinity-Semiconductor.com recibiu un período de garantía de 1 ANO. Durante este período, poderiamos proporcionar mantemento técnico gratuíto se hai algún problema sobre os nosos produtos.
  2. Se atopas problemas de calidade sobre os nosos produtos despois de recibilos, podes probar e solicitar o reembolso incondicional se se pode probar.
  3. Se os produtos son defectuosos ou non funcionan, pode regresarnos dentro dun ano, todos os gastos de transporte e aduana dos bens son cargados por nós.

Etiquetas relacionadas

Produtos relacionados

RN1961FE(TE85L,F)
RN1961FE(TE85L,F)
Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
En stock: 4473 pcs
Descarga: RN1961FE(TE85L,F).pdf
RFQ
RN1963FE(TE85L,F)
RN1963FE(TE85L,F)
Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
En stock: 245409 pcs
Descarga: RN1963FE(TE85L,F).pdf
RFQ
RN1911(T5L,F,T)
RN1911(T5L,F,T)
Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
En stock: 6748 pcs
Descarga: RN1911(T5L,F,T).pdf
RFQ
RN1909FE(TE85L,F)
RN1909FE(TE85L,F)
Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
En stock: 223155 pcs
Descarga: RN1909FE(TE85L,F).pdf
RFQ
RN1910FE,LF(CT
RN1910FE,LF(CT
Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
En stock: 2188820 pcs
Descarga: RN1910FE,LF(CT.pdf
RFQ
RN1910,LF(CT
RN1910,LF(CT
Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
En stock: 326177 pcs
Descarga: RN1910,LF(CT.pdf
RFQ
RN1962FE(TE85L,F)
RN1962FE(TE85L,F)
Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
En stock: 213021 pcs
Descarga: RN1962FE(TE85L,F).pdf
RFQ
RN1910FE(T5L,F,T)
RN1910FE(T5L,F,T)
Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
En stock: 238826 pcs
Descarga: RN1910FE(T5L,F,T).pdf
RFQ
RN1963(TE85L,F)
RN1963(TE85L,F)
Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
En stock: 956111 pcs
Descarga: RN1963(TE85L,F).pdf
RFQ
RN1962TE85LF
RN1962TE85LF
Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6
En stock: 468232 pcs
Descarga: RN1962TE85LF.pdf
RFQ
RN1964FE(TE85L,F)
RN1964FE(TE85L,F)
Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
En stock: 1402841 pcs
Descarga: RN1964FE(TE85L,F).pdf
RFQ
RN1911FETE85LF
RN1911FETE85LF
Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
En stock: 2648957 pcs
Descarga: RN1911FETE85LF.pdf
RFQ

Noticias da industria

Rohm engade 10 mosfets SiC automotivos
"A introdución da serie SCT3xxxxxHR permite a Rohm ofrecer a liña máis grande da industria de SiC...
ON engade aos MOSFET de SiC
ON Semiconductor presentou dous SiC MOSFET dirixidos a aplicacións EV, solares e UPS. O grao indust...
APEC: TI pensa lateralmente facer o chip ac-dc con 15mW en espera
"Este dispositivo consegue o mellor equilibrio entre a alta eficiencia e o ruído ultra-baixo mentre...
Contido patrocinado: SIGLENT SVA1015X Spectrum Analyzer
O analizador de espectro SIGLENT SVA1015X é unha ferramenta moi poderosa e flexible para varias med...
Os equipos de fabricación semi-gastados esperan caer un 14% este ano e crecerán un 27% o próximo ano
Impulsada por unha desaceleración no sector da memoria, a recesión do 2019 marca o fin dun creceme...
Power Stamp Alliance corta a necesidade do CPU do servidor para controlar as PSU e engade un deseño de referencia
A alianza (Artesyn Embedded Technologies, Bel Power Solutions, Flex e STMicroelectronics) creou unha...
APEC: potencia de SiC e ferramentas eléctricas melloradas na nube
A capacidade de busca foi mellorada e hai un menú de estilo de carrusel que permite que se seleccio...
Dengrove engade conversores DC / DC de Recom
Están deseñados para aplicacións que requiren alta densidade de potencia e alta eficiencia e teñ...
Primeiro procesador de brazo cualificado para aplicacións militares
LS1046A forma parte do portafolio de NXP Arm Layerscape de 64 bits, cun 1.8GHz Quad-core Arm Cortex-...