0 Item(s)
0 Item(s)
Toshiba Semiconductor and Storage
| Número de peza | TK1K9A60F,S4X | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrición | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- | Estado libre de chumbo / Estado RoHS | Sin plomo / RoHS Cumple con |
| Cantidade dispoñible | 95802 pcs | Folla de datos | TK1K9A60F,S4X.pdf |
| Vgs (po) (máximo) @ Id | 4V @ 400µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete de dispositivos de provedores | TO-220SIS |
| Serie | U-MOSIX | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 Ohm @ 1.9A, 10V |
| Disipación de potencia (máx.) | 30W (Tc) | Empaquetado | Tube |
| Paquete / caso | TO-220-3 Full Pack | Outros nomes | TK1K9A60F,S4X(S TK1K9A60FS4X TK1K9A60FS4X(S |
| Temperatura de operación | 150°C | Tipo de montaxe | Through Hole |
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | Not Applicable | Estado libre de chumbo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 300V | Carga de portas (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Función FET | - |
| Tensión da unidade (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drenaxe á tensión de orixe (Vdss) | 600V |
| Descrición detallada | N-Channel 600V 3.7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS | Corrente - Drenaxe continua (Id) @ 25 ° C | 3.7A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | A tarifa de envío básico de $ 35.00 depende da zona e do país. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | A tarifa de envío básico de $ 35.00 depende da zona e do país. |
| UPS | www.UPS.com | A tarifa de envío básico de $ 35.00 depende da zona e do país. |
| TNT | www.TNT.com | A tarifa de envío básico de $ 35.00 depende da zona e do país. |
