ON engade aos MOSFET de SiC

ON Semiconductor presentou dous SiC MOSFET dirixidos a aplicacións EV, solares e UPS.

O grao industrial NTHL080N120SC1 e AEC-Q101 grao automotivo NVHL080N120SC1 son complementados por  Diodos SiC e Controladores de SiC, ferramentas de simulación de dispositivos, modelos SPICE e información sobre aplicacións.

MOSFET de SiC de 1200 voltios (V), 80 milliohm (mΩ) e SiC, ten unha corrente de fuga baixa, un diodo intrínseco rápido con carga de recuperación inversa baixa, o que dá unha redución de perda de potencia e soporta unha maior frecuencia e maior densidade de potencia e baixa Eon e Eoff / fast activarse e desactivarse combinado cunha tensión dianteira baixa para reducir as perdas totais de enerxía e, polo tanto, requisitos de refrixeración.

A capacidade de dispositivo baixo soporta a posibilidade de cambiar a frecuencias moi altas o que reduce problemas problemáticos de EMI; mentres tanto, un aumento elevado, unha capacidade de avalancha e unha robustez contra cortocircuitos aumentan a robustez xeral, proporcionan unha maior fiabilidade e unha maior esperanza de vida.

Un beneficio adicional dos dispositivos SiC MOSFET é unha estrutura de terminación que engade fiabilidade e robustez e mellora a estabilidade operativa.

O NVHL080N120SC1 foi deseñado para soportar altas correntes de oleaje e ofrece unha elevada capacidade de avalancha e robustez fronte aos curtos circuítos.

A cualificación AEC-Q101 do MOSFET ademais doutros dispositivos SiC ofrecidos, asegura que se poden empregar plenamente no crecente número de aplicacións no vehículo que xorden como resultado do aumento do contido electrónico e da electrificación das potencias motrices.

Unha temperatura máxima de funcionamento de 175 ° C aumenta a idoneidade para o seu uso en deseños de automóbiles, así como outras aplicacións de destino onde as restricións de densidade e espazo elevadas están subindo a temperatura ambiente típica.